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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器硅探測(cè)器硅探測(cè)器
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硅探測(cè)器? 室溫型探測(cè)器? 使用范圍：200-1100nm? 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：? DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器? DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
硅探測(cè)器
• 室溫型探測(cè)器
• 使用范圍：200-1100nm
• 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：
• DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
• DT-Si300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱 | DT-Si200 紫敏硅探測(cè)器 | DT-Si300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器 |
| 進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 | 進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型 |
有效接收面積(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) |
波長(zhǎng)使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 |
峰值波長(zhǎng)(nm)，典型值 | 820nm | 970nm |
峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) |
典型波長(zhǎng)的響應(yīng)度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm |
響應(yīng)時(shí)間(μs) | 5.9 | 2 |
工作溫度范圍(℃) | -10～+60 | -10～+60 |
儲(chǔ)存溫度范圍(℃) | -20～+70 | -20～+70 |
分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) |
等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 |
*大操作電流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 |
結(jié)電容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 |
信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 |
輸出信號(hào)極性 | 正（P） | 正（P） |
硅探測(cè)器
公司郵箱： qgao@buybm.com
服務(wù)熱線： 021-61052039
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